常见的晶体三极管有硅三极管和锗三极管两种,每种材料的三极管中又有NPN型和PNP型两种结构形式。但是它们的工作原理却是完全相同的。下面以PNP型三极管为例说明。
发射结施加正向电压,而集电结施加反向电压。由于发射结上加有正向电压,发射结的阻挡层变薄,发射区内的多数载流子空穴通过发射结向基区运动,形成发射极电流J。(当然发射极电流中也包括基区内的多数载流子电子通过发射结向发射区运动的电流,但由于基区很薄,这部分电流远小于发射极注入到基区的空穴流,可以忽略不计)。发射极电流的大小与发射结上施加的正向电压有关。它们之间的关系和二极管正向特性相似。发射极注入到基区内的空穴成为基区中的少数载流子,大量的电子堆积在基区内靠近发射结一边,而靠近集电结的基区一边的空穴被集电结施加的反向电压吸引到集电区,于是基区内形成了由发射结向集电结的空穴梯度,就产生了空穴在基区的扩散运动--由发射结向集电结的扩散。在扩散运动过程中,空穴也会有一部分与基区内的电子复合,这就形成了基极电流j。