三极管放大原理是什么

2024-04-25 04:13:06 (35分钟前 更新) 146 9104

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晶体管的电流放大作用实质上是电流控制作用,是用一个较小的基极电流去控制一个较大的集电极电流,这个较大的集电极电流是由直流电源EC提供的,并不是晶体管本身把一个小的电流放大成了一个大的电流,这一点须用能量守恒的观点去分析。所以晶体管是一种电流控制元件。  分析晶体管内部载流子运动与分配情况(即晶体管的电流放大作用)。
   (1)  发射区向基区发射电子。
   由于发射结处于正向偏置,多数载流子的扩散运动加强,发射区的多数载流子(电子)向基区扩散(称为发射),同样,基区的多数载流子(空穴)也向发射区扩散,但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度,两者相比较可忽略基区空穴向发射区的扩散(图6-2中未画出)。由于两个电源EB和EC的负极接在发射极,所以发射区向基区发射的电子都可从电源得到补充,这样就形成了发射极电流IE。
   (2)  电子在基区的扩散与复合。
   从发射区发射到基区的电子到达基区后,由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度,所以这些电子会向集电结附近继续扩散。在扩散过程中,有小部分电子会与基区的空穴复合,由于电源EB的正极与基极相接,这些复合掉的空穴均可由EB补充,因而形成了基极电流IB。因基区做得很薄,电子在扩散过程中通过基区的时间很短,加上基区的空穴浓度很低,所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中,与基区空穴复合的机会很少,因而基极电流IB很小,大部分电子都能通过基区而达到集电结附近。
   (3)  集电区收集电子从而形成集电极电流IC  。
   由于集电结处于反向偏置,有利于少数载流子的漂移运动。从发射区发射到基区的电子,一旦到达基区后,就成了基区少数载流子,因而这些扩散到集电结附近的电子很容易被集电区收集而形成集电极电流IC。
   从以上分析可知,从发射区发射到基区的电子中,只有很小部分与基区的电子复合而形成基极电流IB,绝大部分能通过基区并被集电区收集而形成集电极电流IC,如图6-2所示。因此,集电极电流IC就会比基极电流IB大得多,这就是晶体管的电流放大作用。如前所述,晶体管的基区之所以做得很薄,并且掺杂浓度远低于发射区,就是为了使集电极电流比基极电流大得多,从而实现晶体管的电流放大作用。
晶体管的电流放大作用实质上是电流控制作用,是用一个较小的基极电流去控制一个较大的集电极电流,这个较大的集电极电流是由直流电源EC提供的,并不是晶体管本身把一个小的电流放大成了一个大的电流,这一点须用能量守恒的观点去分析。所以晶体管是一种电流控制元件。  分析晶体管内部载流子运动与分配情况(即晶体管的电流放大作用)。
   (1)  发射区向基区发射电子。
   由于发射结处于正向偏置,多数载流子的扩散运动加强,发射区的多数载流子(电子)向基区扩散(称为发射),同样,基区的多数载流子(空穴)也向发射区扩散,但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度,两者相比较可忽略基区空穴向发射区的扩散(图6-2中未画出)。由于两个电源EB和EC的负极接在发射极,所以发射区向基区发射的电子都可从电源得到补充,这样就形成了发射极电流IE。
   (2)  电子在基区的扩散与复合。
   从发射区发射到基区的电子到达基区后,由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度,所以这些电子会向集电结附近继续扩散。在扩散过程中,有小部分电子会与基区的空穴复合,由于电源EB的正极与基极相接,这些复合掉的空穴均可由EB补充,因而形成了基极电流IB。因基区做得很薄,电子在扩散过程中通过基区的时间很短,加上基区的空穴浓度很低,所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中,与基区空穴复合的机会很少,因而基极电流IB很小,大部分电子都能通过基区而达到集电结附近。
   (3)  集电区收集电子从而形成集电极电流IC  。
   由于集电结处于反向偏置,有利于少数载流子的漂移运动。从发射区发射到基区的电子,一旦到达基区后,就成了基区少数载流子,因而这些扩散到集电结附近的电子很容易被集电区收集而形成集电极电流IC。
   从以上分析可知,从发射区发射到基区的电子中,只有很小部分与基区的电子复合而形成基极电流IB,绝大部分能通过基区并被集电区收集而形成集电极电流IC,如图6-2所示。因此,集电极电流IC就会比基极电流IB大得多,这就是晶体管的电流放大作用。如前所述,晶体管的基区之所以做得很薄,并且掺杂浓度远低于发射区,就是为了使集电极电流比基极电流大得多,从而实现晶体管的电流放大作用。
瘦小的土拨鼠 2024-04-25
、放大电路的组成与各元件的作用
  Rb和Rc:提供适合偏置--发射结正偏,集电结反偏。C1、C2是隔直(耦合)电容,隔直流通交流。
 
 
共射放大电路
  Vs  ,Rs:信号源电压与内阻;  RL:负载电阻,将集电极电流的变化△ic转换为集电极与发射极间的电压变化△VCE
 
二、放大电路的基本工作原理
  静态(Vi=0,假设工作在放大状态)  分析,又称直流分析,计算三极管的电流和极间电压值,应采用直流通路(电容开路)。
基极电流:IB=IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb
集电极电流:IC=ICQ=βIBQ
集-射间电压:VCE=VCEQ=VCC-ICQRc   动态(vi≠0)分析:
 
,,
 
 ,
 ,
 其中。
  放大电路对信号的放大作用是利用三极管的电流控制作用来实现  ,其实质上是一种能量转换器。
三、构成放大电路的基本原则
  放大电路必须有合适的静态工作点:直流电源的极性与三极管的类型相配合,电阻的设置要与电源相配合,以确保器件工作在放大区。输入信号能有效地加到放大器件的输入端,使三极管输入端的电流或电压跟随输入信号成比例变化,经三极管放大后的输出信号(如ic=β*ib)应能有效地转变为负载上的输出电压信号。
、放大电路的组成与各元件的作用
  Rb和Rc:提供适合偏置--发射结正偏,集电结反偏。C1、C2是隔直(耦合)电容,隔直流通交流。
 
 
共射放大电路
  Vs  ,Rs:信号源电压与内阻;  RL:负载电阻,将集电极电流的变化△ic转换为集电极与发射极间的电压变化△VCE
 
二、放大电路的基本工作原理
  静态(Vi=0,假设工作在放大状态)  分析,又称直流分析,计算三极管的电流和极间电压值,应采用直流通路(电容开路)。
基极电流:IB=IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb
集电极电流:IC=ICQ=βIBQ
集-射间电压:VCE=VCEQ=VCC-ICQRc   动态(vi≠0)分析:
 
,,
 
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 其中。
  放大电路对信号的放大作用是利用三极管的电流控制作用来实现  ,其实质上是一种能量转换器。
三、构成放大电路的基本原则
  放大电路必须有合适的静态工作点:直流电源的极性与三极管的类型相配合,电阻的设置要与电源相配合,以确保器件工作在放大区。输入信号能有效地加到放大器件的输入端,使三极管输入端的电流或电压跟随输入信号成比例变化,经三极管放大后的输出信号(如ic=β*ib)应能有效地转变为负载上的输出电压信号。
悠然1968 2024-04-15
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC  的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB,  Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。  
三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真。
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC  的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB,  Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。  
三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真。
h071232003 2024-03-31
三极管有三个过程的,一般的放大原理是三极管的饱和过程,主要是集电极返偏,发射极正偏的
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,  也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三极管有三个过程的,一般的放大原理是三极管的饱和过程,主要是集电极返偏,发射极正偏的
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,  也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
下一个路岔 2024-03-21

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