电磁炉双igbt方法是什么

更换IGBT同时记得把驱动管一起换掉（不管是好是坏；很多人测量没坏就没换；代价就是过不了多久再烧IGBT；两个三极管最多1元；一个IGBT就要翻十几翻了）还要检查下0.2  UF  0.3UF  5UF电容；一切就绪
   在交流220V上，串接一个60-100W的灯泡，加锅，接通电源：
   1.  若灯泡暗红（适用于插上220V后待机指示灯亮），开启电磁炉电源，灯泡一亮一暗地闪烁，（而插上220V后待机指示灯不亮），开启电磁炉电源，灯泡一亮即暗重开电源也是一亮即暗；表明电磁炉已经基本OK了。
   2.  若灯泡很亮，表明IGBT管完全导通。此时，若拆除灯泡通电工作，必烧IGBT管！应主要查修驱动  谐振电容  高压整流等电路。
   3.  若灯泡暗红，开启电磁炉电源，灯泡亮度不变。则应主要查修面板控制  微电脑供电  副电源等电路。
   4.若灯泡暗红，开启电磁炉电源，灯泡一亮一暗地闪烁,但把锅具抬起灯泡很亮；属于抬锅炸IGBT，应检查CPU  驱动  线盘  大多数是线圈损坏

IGBT是一种复合管，由一只SHM（双极功率高速开关管）和一只MOS（绝缘栅型场效应管）复合而成，连接方式类似于达林顿管。其中SHM为电流控制型晶体管，MOS为电压控制型晶体管，所以称之为全控。二、IGBT过载能力较强，功率较大。一般在IGBT的B极与E极之间还会并联一只阻尼二极管。IGBT在工作时要在G极上加一个控制信号，其门极驱动要的比较大，一般大于普通的SHM与V-MOS

IGBT(Insulated  Gate  Bipolar  Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,  兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。