电磁炉igbt测量方法谁知道

2024-05-16 00:48:06 (29分钟前 更新) 245 1978

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1万用表打到二极管档,分别测G极和C极,G极和E极,万用表均显示过量程
2C极接红表笔,E极接黑表笔,显示过量程状态
3C接黑表笔,E接红表笔,测到里面的二极管,万用表显示二极管的导通值,就可以测量了。
1万用表打到二极管档,分别测G极和C极,G极和E极,万用表均显示过量程
2C极接红表笔,E极接黑表笔,显示过量程状态
3C接黑表笔,E接红表笔,测到里面的二极管,万用表显示二极管的导通值,就可以测量了。
冰冷的火夫 2024-05-16
测量方法:1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。2.判定源极S、漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表接D极。
测量方法:1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。2.判定源极S、漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表接D极。
渴望丰收 2024-05-12
电磁炉igbt测量方法:
在修理中常见的电磁炉大致分为两类:
由LM339(四电压比较器)输出脉冲信号。
1:    触发部分由正负两组电源,管子用PNP\\\\NPN组成,类似这种电路,后级大多是用大功率管多个复合而成,组成高压开关部分,在代换中,前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子,解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量,金属封装得如:BUS13A等,塑封的如:BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类,用两个就可以。
2:功控管用IGBT绝缘栅开关器件;
这些机器特征是不用双电源触发,只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT
这种情况下只能用此一类的管子代替,损坏程度大致为,只有管子坏,换上即可。其次是整流桥同时损坏,(一般是烧半壁),在其次是触发集成块TA8316坏,连带LM339N一起损坏的很少见。
对于高压模块,由于这方面的参数手册很少,希望大家搜集转贴,以便代换时参考。
不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.
2.1.2    IGBT
绝缘栅双极晶体管(Iusulated    Gate    Bipolar    Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,    但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图),    分别称为栅极G(也叫控制极或门极)    、集电极C(亦称漏极)    及发射极E(也称源极)    。
从IGBT的下述特点中可看出,    它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,    就是于高压大电流工作时,    导通电阻大,    器件发热严重,    输出效率下降。
电磁炉igbt测量方法:
在修理中常见的电磁炉大致分为两类:
由LM339(四电压比较器)输出脉冲信号。
1:    触发部分由正负两组电源,管子用PNP\\\\NPN组成,类似这种电路,后级大多是用大功率管多个复合而成,组成高压开关部分,在代换中,前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子,解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量,金属封装得如:BUS13A等,塑封的如:BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类,用两个就可以。
2:功控管用IGBT绝缘栅开关器件;
这些机器特征是不用双电源触发,只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT
这种情况下只能用此一类的管子代替,损坏程度大致为,只有管子坏,换上即可。其次是整流桥同时损坏,(一般是烧半壁),在其次是触发集成块TA8316坏,连带LM339N一起损坏的很少见。
对于高压模块,由于这方面的参数手册很少,希望大家搜集转贴,以便代换时参考。
不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.
2.1.2    IGBT
绝缘栅双极晶体管(Iusulated    Gate    Bipolar    Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,    但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图),    分别称为栅极G(也叫控制极或门极)    、集电极C(亦称漏极)    及发射极E(也称源极)    。
从IGBT的下述特点中可看出,    它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,    就是于高压大电流工作时,    导通电阻大,    器件发热严重,    输出效率下降。
A+黎明前的黑暗 2024-05-10

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