我来回答你的问题。 1.你索列举的时序，每个位置的数据代表的是CL-tRCD-tRP-tRAS。 CL是CAS Latency的简称，也就是内存CAS延迟时间。简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。 tRCD意思是RAS to CAS Delay，是内存行地址传输到列地址的延迟时间（RAS至CAS延迟)。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。 tRP意思是是RAS Precharge Delay，意思是内存行地址选通脉冲预充电时间。 tRAS意思是Row Active Delay。tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay（行有效至行预充电时间）。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。 你可以看到上面的解释，基本都是有关于延迟的，只有一个是trp是脉冲预充电时间，不管是延迟还是预充电时间， 都是越小越好，所以你列举的时序数字是