9014三极管参数有哪些

2024-05-12 08:41:29 (36分钟前 更新) 387 3838

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9014三极管参数
FEATURES
Power  dissipation
PCM  :  0.4  W  Tamb=25
Collector  current
ICM  :  0.1  A
Collector-base  voltage
V(BR)CBO  :  50  V
ELECTRICAL  CHARACTERISTICS  Tamb=25摄氏度  unless  otherwise  specified
9014三极管参数
FEATURES
Power  dissipation
PCM  :  0.4  W  Tamb=25
Collector  current
ICM  :  0.1  A
Collector-base  voltage
V(BR)CBO  :  50  V
ELECTRICAL  CHARACTERISTICS  Tamb=25摄氏度  unless  otherwise  specified
cool100886 2024-05-12
C9014  NPN三极管
　　△主要用途：作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、DVD、电动玩具等电子产品(与C9015互补)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集电极漏电流ICBO  VCB=60V,IE=0  100  nA  发射极漏电流IEBO  VBE=5V,IC=0  100  nA  集电极、发射极击穿电压BVCEO  IC=1mA,IB=0  50  V  发射极、基极击穿电压BVEBO  IE=10μA,IC=0  5  V集电极、基极击穿电压BVCBO  IC=100μA,IE=0  60  V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)  IC=100mA,IB=10mA0.25  V  基极、发射极饱和压降VBE(sat)  IC=100mA,IB=10mA1.0  V  直流电流增益HFE1  VCE=6V,IC=2mA120  700  HFE2  VCE=6V,IC=150mA25  参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO  60  V  集电极、发射极击穿电压VCEO  50  V  发射极、基极击穿电压VEBO  5  V  集电极电流IC  150  mA  集电极功率PC  625  mW  结温TJ  150  ℃贮存温TSTG  -55-150  ℃6发射△电参数(Ta=25℃)(按HEF1分类)标准分档：B：100-300  C：200-600  D:400-1000  TO-92  1.  发射极E  2.  基极B  3.  集电极C  B  C1  C2  D1  D2  D3  120-200  200-300  300-400  400-500  500-600  600-700  9015-  PNP外延型晶体管(三极管)  9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管特性集电极电流Ic：Max  -100mA集电极-基极电压Vcbo：-50V  工作温度：-55℃to  +150℃功率(W):0.45  fT(MHZ):190.  hFE  :60  ～600  和9014(NPN)相对
　　主要用途：
　　开关应用
　　射频放大
　　低噪声放大管
　　9015  硅PNP管用途：
　　低频放大。VCBO=50V  VCEO=45V  VEBO=5V  ICM=100毫安PCM=0.45W  FT=100MH  放大倍数：60-600(A-C
C9014  NPN三极管
　　△主要用途：作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、DVD、电动玩具等电子产品(与C9015互补)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集电极漏电流ICBO  VCB=60V,IE=0  100  nA  发射极漏电流IEBO  VBE=5V,IC=0  100  nA  集电极、发射极击穿电压BVCEO  IC=1mA,IB=0  50  V  发射极、基极击穿电压BVEBO  IE=10μA,IC=0  5  V集电极、基极击穿电压BVCBO  IC=100μA,IE=0  60  V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)  IC=100mA,IB=10mA0.25  V  基极、发射极饱和压降VBE(sat)  IC=100mA,IB=10mA1.0  V  直流电流增益HFE1  VCE=6V,IC=2mA120  700  HFE2  VCE=6V,IC=150mA25  参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO  60  V  集电极、发射极击穿电压VCEO  50  V  发射极、基极击穿电压VEBO  5  V  集电极电流IC  150  mA  集电极功率PC  625  mW  结温TJ  150  ℃贮存温TSTG  -55-150  ℃6发射△电参数(Ta=25℃)(按HEF1分类)标准分档：B：100-300  C：200-600  D:400-1000  TO-92  1.  发射极E  2.  基极B  3.  集电极C  B  C1  C2  D1  D2  D3  120-200  200-300  300-400  400-500  500-600  600-700  9015-  PNP外延型晶体管(三极管)  9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管特性集电极电流Ic：Max  -100mA集电极-基极电压Vcbo：-50V  工作温度：-55℃to  +150℃功率(W):0.45  fT(MHZ):190.  hFE  :60  ～600  和9014(NPN)相对
　　主要用途：
　　开关应用
　　射频放大
　　低噪声放大管
　　9015  硅PNP管用途：
　　低频放大。VCBO=50V  VCEO=45V  VEBO=5V  ICM=100毫安PCM=0.45W  FT=100MH  放大倍数：60-600(A-C
盖世在在 2024-04-28
集电极漏电流ICBO  VCB=60V,IE=0  100  nA发射极漏电流IEBO  VBE=5V,IC=0  100  nA集电极、发射极击穿电压BVCEO  IC=1mA,IB=0  50  V发射极、基极击穿电压BVEBO  IE=10μA,IC=0  5  V集电极、基极击穿电压BVCBO  IC=100μA,IE=0  60  V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA  0.25  V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA  1.0  V直流电流增益HFE1  VCE=6V,IC=2mA  120  700HFE2  VCE=6V,IC=150mA  25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO  60  V集电极、发射极击穿电压VCEO  50  V发射极、基极击穿电压VEBO  5  V集电极电流IC  150  mA集电极功率PC  625  mW结温TJ  150  ℃贮存温TSTG  -55-150  ℃6发射△电参数（Ta=25℃）
集电极漏电流ICBO  VCB=60V,IE=0  100  nA发射极漏电流IEBO  VBE=5V,IC=0  100  nA集电极、发射极击穿电压BVCEO  IC=1mA,IB=0  50  V发射极、基极击穿电压BVEBO  IE=10μA,IC=0  5  V集电极、基极击穿电压BVCBO  IC=100μA,IE=0  60  V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA  0.25  V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA  1.0  V直流电流增益HFE1  VCE=6V,IC=2mA  120  700HFE2  VCE=6V,IC=150mA  25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO  60  V集电极、发射极击穿电压VCEO  50  V发射极、基极击穿电压VEBO  5  V集电极电流IC  150  mA集电极功率PC  625  mW结温TJ  150  ℃贮存温TSTG  -55-150  ℃6发射△电参数（Ta=25℃）
Bubble0104 2024-04-26
主要参数是：
集电极、基极击穿电压VCBO  60  V  
集电极、发射极击穿电压VCEO  50  V  发射极、
基极击穿电压VEBO  5  V  
集电极电流IC  150  mA  
集电极功率PC  625  mW
 结温TJ  150  ℃  
贮存温TSTG  -55-150  ℃
希望可以帮到你。
主要参数是：
集电极、基极击穿电压VCBO  60  V  
集电极、发射极击穿电压VCEO  50  V  发射极、
基极击穿电压VEBO  5  V  
集电极电流IC  150  mA  
集电极功率PC  625  mW
 结温TJ  150  ℃  
贮存温TSTG  -55-150  ℃
希望可以帮到你。
瑷逮云暮 2024-04-20
集电极漏电流ICBO  VCB=60V,IE=0  100  nA
发射极漏电流IEBO  VBE=5V,IC=0  100  nA
集电极、发射极击穿电压BVCEO  IC=1mA,IB=0  50  V
发射极、基极击穿电压BVEBO  IE=10μA,IC=0  5  V
集电极、基极击穿电压BVCBO  IC=100μA,IE=0  60  V
集电极、发射极饱和压降VCE
希望能帮到你
集电极漏电流ICBO  VCB=60V,IE=0  100  nA
发射极漏电流IEBO  VBE=5V,IC=0  100  nA
集电极、发射极击穿电压BVCEO  IC=1mA,IB=0  50  V
发射极、基极击穿电压BVEBO  IE=10μA,IC=0  5  V
集电极、基极击穿电压BVCBO  IC=100μA,IE=0  60  V
集电极、发射极饱和压降VCE
希望能帮到你
一个老神仙 2024-04-07

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