mos管和三极管的区别是什么

///三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：
1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。
BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm；
2、BJT线性较差，FET线性较好；
3、BJT噪声较大，FET噪声较小；
4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型
所以FET选型和使用都比较复杂；
5、BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；
总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，  也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：
1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。
BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm；
2、BJT线性较差，FET线性较好；
3、BJT噪声较大，FET噪声较小；
4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型
所以FET选型和使用都比较复杂；
5、BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；
总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。

MOS管是场效应晶体管，是一种电压控制器件。而普通晶体管（又称双极晶体管）是一种电流控制器件）。MOS管有N沟道与P沟道之分，两者极性相反，正如PNP与NPN晶体管一样。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。
场效应管与三级管的比较：
1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；
2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件
3）场效应管灵活性比三级管好；
4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
MOSFET和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®G、e®S、c®D；由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而FET放大电路的场效应管栅极没有电流，所以，FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件，靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化。