金刚石膜和类金刚石膜的区别在什么地方

金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为20W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为5.47eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。
类金刚石膜[1]  (DLC)是一种与金刚石膜性能相似的新型薄膜材料，它具有较高的硬度，良好的热传导率，极低的摩擦系数，优异的电绝缘性能，高的化学稳定性及红外透光性能。自Asienberg和Chabotv在1979年用离子束沉积法(Ion  beam  deposition)制得第一片DLC薄膜以来，人们对类金刚石膜的特性、制备方法及其应用领域进行了广泛和深入的研究，类金刚石膜产品已被广泛应用到机械、电子、光学和医学等各个领域。

很简单，低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。但是类金刚石膜的结构在自然界中以两种晶体单质形式存在：四面体状sp3C—C键结合的金刚石晶体和正三角或片层状sp2C—C键结合的石墨晶体。碳的其他存在形式有无定型非晶碳、白碳(由spl键构成)等。碳之所以能形成诸多晶体或无定形碳，主要是它能以三种化学键存在：sp  l、sp2和sp3。类金刚石碳材料是碳的收稿日期：2007年1  0月一种非晶亚稳态结构，它的化学键主要是sp2和sp3。由于类金刚石碳材料的性能与金刚石材料比较相似，因而称其为类金刚石碳。一般认为sp3键含量越高，膜层越坚硬致密，电阻率越高，宏观性质上更接近金刚石。根据薄膜结构是否含氢可分为：氢化非晶碳膜(a—C：H  film，一般包括50%的氢)、无氢非晶碳膜(a—C  film)、四面体非氢碳膜(ta—C  film)。一般来说前一类金刚石膜由化学气相沉积(CVD)制得，而后两类则通过物理气相沉积(PVD)制得。

金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
   　类金刚石碳（DLC）是非晶结构，碳原子主要以sp3和sp2杂化键结合。含氢DLC又称为α-C:H，其中氢含量在20%到50%之间。无氢类金刚石膜包括无氢非晶碳（α-C）和四面体非晶碳（ta-C）膜。α-C膜含有一些sp3键；ta-C膜中以sp3键为主（sp3>70%）。