陶瓷电容器和独石电容器的区别有哪些

2024-04-30 06:59:37 (45分钟前 更新) 234 3611

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独石电容比较稳定,问温漂系数小,电容值可以做到1uF,寿命长,等效直流电阻小,价格稍贵。  
瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF。  
瓷片电容也属于陶瓷电容的一种,陶瓷电容是总称。
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点:稳定,绝缘性好,耐高压
缺点:容量比较小
独石电容是多层陶瓷电容器的别称,英文名称monolithic  ceramic  capacitor或multi-layer  ceramic  capacitor,  简称MLCC,根据所使用的材料,可分为三类。
一类
为温度补偿类NPO电介质
这种电容器电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类
为高介电常数类X7R电介质
由于X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类
为半导体类Y5V电介质
这种电容器具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
独石电容比一般瓷介电容器大(10pF~10μF),且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定、耐高温、绝缘性好、成本低等优点,因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器,还取代了某些钽电容器,广泛应用在小型和超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)中。
特点
温度特性好,频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律,独石电容下降比较少,容量比较稳定。
独石电容除有电容器  “隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,独石电容也以惊人的速度向前发展,每年以10[%]~15[%]的速度递增。世界独石电容的需求量在  2000亿支以上,70[%]出自日本,其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
独石电容比较稳定,问温漂系数小,电容值可以做到1uF,寿命长,等效直流电阻小,价格稍贵。  
瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF。  
瓷片电容也属于陶瓷电容的一种,陶瓷电容是总称。
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点:稳定,绝缘性好,耐高压
缺点:容量比较小
独石电容是多层陶瓷电容器的别称,英文名称monolithic  ceramic  capacitor或multi-layer  ceramic  capacitor,  简称MLCC,根据所使用的材料,可分为三类。
一类
为温度补偿类NPO电介质
这种电容器电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类
为高介电常数类X7R电介质
由于X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类
为半导体类Y5V电介质
这种电容器具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
独石电容比一般瓷介电容器大(10pF~10μF),且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定、耐高温、绝缘性好、成本低等优点,因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器,还取代了某些钽电容器,广泛应用在小型和超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)中。
特点
温度特性好,频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律,独石电容下降比较少,容量比较稳定。
独石电容除有电容器  “隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,独石电容也以惊人的速度向前发展,每年以10[%]~15[%]的速度递增。世界独石电容的需求量在  2000亿支以上,70[%]出自日本,其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
已然晕菜 2024-04-30
独石电容比较稳定,问温漂系数小,电容值可以做到1uF,寿命长,等效直流电阻小,价格稍贵。  
瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF。  
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
独石电容比较稳定,问温漂系数小,电容值可以做到1uF,寿命长,等效直流电阻小,价格稍贵。  
瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF。  
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
星闪乐途 2024-04-22
独石电容容量大,再经复温还原,一类为温度补偿类;二类为高介电常数类、旁路电路中,形成多个电容器并联。  
瓷片电容体积小,主要用于电子整机中的振荡、耦合;并将印有内电极的陶瓷介质膜片交替叠合热压、滤波、高安全性和高可靠性。是以电子陶瓷材料作介质,然后在介质薄膜上印刷内电极,在高温下一次烧结成为一个不可分割的整体芯片,形成片式陶瓷电容器的两极。缺点、寿命长。
其发展趋势是:机械强度差、片式化率迅速增长、尺寸不断缩小、低成本的片式多层陶瓷电容器不断涌现、厚度不断变薄变轻,适于低频;生产规模不断扩大、复合度不断提高,介质损耗小;耐潮湿。低失真率和冲击噪音小,温度系数范围广,漏电小:容量小。瓷片电容适于高频。可以取代。我是搞高频电路的喜欢瓷片电容。实际应用效果差不多独石电容工作原理  ,  片式多层陶瓷电容器又称独石电容器,是世界上用量最大
独石电容容量大,再经复温还原,一类为温度补偿类;二类为高介电常数类、旁路电路中,形成多个电容器并联。  
瓷片电容体积小,主要用于电子整机中的振荡、耦合;并将印有内电极的陶瓷介质膜片交替叠合热压、滤波、高安全性和高可靠性。是以电子陶瓷材料作介质,然后在介质薄膜上印刷内电极,在高温下一次烧结成为一个不可分割的整体芯片,形成片式陶瓷电容器的两极。缺点、寿命长。
其发展趋势是:机械强度差、片式化率迅速增长、尺寸不断缩小、低成本的片式多层陶瓷电容器不断涌现、厚度不断变薄变轻,适于低频;生产规模不断扩大、复合度不断提高,介质损耗小;耐潮湿。低失真率和冲击噪音小,温度系数范围广,漏电小:容量小。瓷片电容适于高频。可以取代。我是搞高频电路的喜欢瓷片电容。实际应用效果差不多独石电容工作原理  ,  片式多层陶瓷电容器又称独石电容器,是世界上用量最大
飘零雨迹 2024-04-08
具有耐压高、工作电流大、体积小、品质因素高、性能稳定可靠受环境条件影响小、价格低廉等特点,被广泛用于感应加热、高频介质加热、通讯、广播高压测试等电子设备中。应用领域1、广播通讯设备:真空电容器在中波、短波、超短波发射机上,作为调谐、耦合、滤波、中和、隔直流等元件。
希望解答了你的疑惑,解决了你的问题。
具有耐压高、工作电流大、体积小、品质因素高、性能稳定可靠受环境条件影响小、价格低廉等特点,被广泛用于感应加热、高频介质加热、通讯、广播高压测试等电子设备中。应用领域1、广播通讯设备:真空电容器在中波、短波、超短波发射机上,作为调谐、耦合、滤波、中和、隔直流等元件。
希望解答了你的疑惑,解决了你的问题。
zhouchang1988127 2024-03-26
陶瓷电容器
使用电压可分为高压,中压和低压陶瓷电容器。按温度系数,介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。此外,还有I型、II型、III型的分类方法。一般陶瓷电容器和其他电容器相比,具有使用温度较高,比容量大,耐潮湿性好,介质损耗较小,电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中,用量十分可观。
独石电容器
以铌镁酸铅和复合钙钛型化合物为主要原料,制成浆料,经轧膜、挤压或流延法形成生坯陶瓷薄膜,再经烘干、印刷内电极、叠片、切割、涂端头电极、烧结而成。烧成温度880~1100℃。有带引线树脂包封的和不带引线也无包封的块状裸露的两种。广泛用于印刷电路、厚薄膜混合集成电路中作外贴元件。片状独石陶瓷电容器已广泛用于钟表、电子摄像机、医疗仪器、汽车、电子调谐器等。
陶瓷电容器
使用电压可分为高压,中压和低压陶瓷电容器。按温度系数,介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。此外,还有I型、II型、III型的分类方法。一般陶瓷电容器和其他电容器相比,具有使用温度较高,比容量大,耐潮湿性好,介质损耗较小,电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中,用量十分可观。
独石电容器
以铌镁酸铅和复合钙钛型化合物为主要原料,制成浆料,经轧膜、挤压或流延法形成生坯陶瓷薄膜,再经烘干、印刷内电极、叠片、切割、涂端头电极、烧结而成。烧成温度880~1100℃。有带引线树脂包封的和不带引线也无包封的块状裸露的两种。广泛用于印刷电路、厚薄膜混合集成电路中作外贴元件。片状独石陶瓷电容器已广泛用于钟表、电子摄像机、医疗仪器、汽车、电子调谐器等。
chocolate宸 2024-03-15

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