mos管继电器之间有什么区别

2024-05-24 13:02:54 (28分钟前 更新) 538 4181

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mos管是半导体元件,耐过流、过热性没继电器好。但通断无噪音,无火花。另外mos管是压控元件,控制电流小。工业用还是继电器更可靠,环境要求更低。
mos管是半导体元件,耐过流、过热性没继电器好。但通断无噪音,无火花。另外mos管是压控元件,控制电流小。工业用还是继电器更可靠,环境要求更低。
魔女小楠 2024-05-24
1、阻抗不同,为了实施开关动作,其耗电量不同。
(1)MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件,也就是为了能在漏极端有电流产生,必须在闸极与源极之间,提供额定的电压值,由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(silicon  oxide  layer)作电气上的隔离,因此,仅有微量的漏电流会由所供应的电压源进入闸极。所以MOSFET具有极高的增益与极高的阻抗。  
(2)继电器是通过线圈控制的,必须施加电流,其阻抗低,为了开关耗费的电量相对大一些。
2、关断原理不同
(1)要将MOSFET关闭(OFF)时,只要将闸极至源极电压移去,即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭,此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗,因而除了漏电流(几微安培),可抑制其它的电流产生。
(2)继电器是通过改变继电器线圈的电流,实现触点分离,理论上可以说,断开后没有漏电流。
3、要想实现常开(常闭)开关,继电器很好实现,而MOSFET需要合理设计电路才行。
1、阻抗不同,为了实施开关动作,其耗电量不同。
(1)MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件,也就是为了能在漏极端有电流产生,必须在闸极与源极之间,提供额定的电压值,由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(silicon  oxide  layer)作电气上的隔离,因此,仅有微量的漏电流会由所供应的电压源进入闸极。所以MOSFET具有极高的增益与极高的阻抗。  
(2)继电器是通过线圈控制的,必须施加电流,其阻抗低,为了开关耗费的电量相对大一些。
2、关断原理不同
(1)要将MOSFET关闭(OFF)时,只要将闸极至源极电压移去,即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭,此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗,因而除了漏电流(几微安培),可抑制其它的电流产生。
(2)继电器是通过改变继电器线圈的电流,实现触点分离,理论上可以说,断开后没有漏电流。
3、要想实现常开(常闭)开关,继电器很好实现,而MOSFET需要合理设计电路才行。
wisteria1221 2024-05-22
(1)无运动零部件,无机械磨损,无动作噪声,无机械故障,可靠性高;
(2)无燃弧触点,无触点间的火花、电弧,无触点抖动和磨损,对外干扰小;
(3)开关速度迅速,动作时间可达10-3S以下;
(4)灵敏度高,控制功率小,可达10-3以下,能很好地与TTL、CMOS电路兼容;
(5)抗冲击振动性能优良,轻易实现“零”压切换;
(6)一般用尽缘材料灌封玉成封闭整体,所以具有良好的防潮、防霉、防腐性能,防爆性能也极佳;
(7)半导体器件作为开关工作,寿命长;
(8)易实现附加功能。
(1)无运动零部件,无机械磨损,无动作噪声,无机械故障,可靠性高;
(2)无燃弧触点,无触点间的火花、电弧,无触点抖动和磨损,对外干扰小;
(3)开关速度迅速,动作时间可达10-3S以下;
(4)灵敏度高,控制功率小,可达10-3以下,能很好地与TTL、CMOS电路兼容;
(5)抗冲击振动性能优良,轻易实现“零”压切换;
(6)一般用尽缘材料灌封玉成封闭整体,所以具有良好的防潮、防霉、防腐性能,防爆性能也极佳;
(7)半导体器件作为开关工作,寿命长;
(8)易实现附加功能。
叶子晓桐 2024-05-09

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