谁知道led芯片型号有哪些

MB芯片  
定义:MB  芯片﹕Metal  Bonding  (金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC  的专利产品
特点:1、  采用高散热系数的材料---Si  作为衬底﹐散热容易.
Thermal  Conductivity
GaAs:  46  W/m-K
GaP:  77  W/m-K
Si:  125  ~  150  W/m-K
Cupper:300~400  W/m-k
SiC:  490  W/m-K
2、通过金属层来接合(wafer  bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
3、导电的Si  衬底取代GaAs  衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4  倍)，更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
5、尺寸可加大﹐应用于High  power  领域﹐eg  :  42mil  MB
GB芯片  折叠
定义:GB  芯片﹕Glue  Bonding  (粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC  的专利产品
特点:  1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS  (Absorbable  structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图LED芯片
LED芯片
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点
定义:TS  芯片﹕  transparent  structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP  的专利产品。
特点:1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS  LED
2.  信赖性卓越
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
4.应用广泛
定义:AS  芯片﹕Absorbable  structure  (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.  大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg:  712SOL-VR,  709SOL-VR,  712SYM-VR,709SYM-VR  等
特点:  1.  四元芯片﹐采用  MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
2.  信赖性优良
3.  应用广泛
芯片种类  折叠
1、LPE:Liquid  Phase  Epitaxy(液相磊晶法)  GaP/GaP
2、VPE:Vapor  Phase  Epitaxy(气相磊晶法)  GaAsP/GaAs
3、MOVPE:Metal  Organic  Vapor  Phase  Epitaxy  (有机金属气相磊晶法)  AlGaInP、GaN
4、SH:GaAlAs/GaAs  Single  Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5、DH:GaAlAs/GaAs  Double  Heterostructure，  (双异型结构)  GaAlAs/GaAs
6、  DDH:GaAlAs/GaAlAs  Double  Heterostructure，  (双异型结构)  GaAlAs/GaAlAs

按外形分类，芯片一般分为圆片和方片。其中圆片相对较低档，性能不够稳定，我司一般不采用圆片生产的LED；方片一般以尺寸大小来衡量，比如12  mil  (1  mil  =0.0254平方毫米)。一般来说，同一品牌的芯片，芯片尺寸越大，亮度越高。我司最常采用的LED灯珠，红光和黄光一般在9~12mil，白，蓝，绿光一般都在12~14mil，这也是市面上最常用的芯片，如果用更大的芯片，亮度虽然可以提高不少，但是芯片价格大幅度提高，这就是为什么大尺寸芯片很少有人采用的原因。

LED灯珠主要有直插、贴片、大功率、灯条、集成等  直插灯珠：主要是以电极为导热、导电形式封装，其特点是发光面大，多呈圆形，其发光体后半部有两只或多只引脚。  贴片光源：主要是规则小型四方颗粒，规格主要有3528、5050、3014、3020等，如3528  其实就是3.5*2.8mm。  大功率光源：最主要的特点就是，单颗较大，光源整体多为圆形，其光源发光面有典型的半球状透镜，肉眼可见透镜下圆形荧光粉和黑色晶体。  灯条光源：顾名思义，灯条就是将多颗光源（具体看外观可区分）焊接在条形基板上，组成的模组，多呈条状或方形状。  集成光源：目前集成光源（COB光源）是将多颗晶片封装在一个反射碗区，其光源表面有明显的大面积涂布式黄色胶状物质（荧光粉+硅胶），光源表面可见多颗黑色小粒状黑体（晶片）。